邀请课题组：汪凤翔课题组
讲座时间：2025年11月13日（星期四）9 : 00-12 : 00
讲座地点：1号科研楼906会议室
参加人员：科研人员、研究生
主讲人：张海忠 教授
主持人：汪凤翔
报告简介：分别从氧化镓材料市场前景，面向高耐压、低损耗氧化镓功率器件的外延技术与器件结构设计，P型氧化镓外延技术及存在的问题，P-NiO/N-Ga2O3异质结SBD进展及存在的问题，氧化镓MOSFET器件结构设计与工艺开发，氧化镓器件的热管理等方面介绍氧化镓功率器件产业化进展与面临的挑战。
报告人简介：张海忠，福州大学博导、“闽江学者奖励计划”特聘教授，泉镓科技总经理，国家级重大人才计划青年项目入选者，福建省“百人计划”项目入选者，海外高层次留学人才回国资助项目获得者。曾任中芯国际集成电路制造(上海)有限公司研发工程师，香港城市大学助理研究员，新加坡南洋理工大学副研究员，新加坡科研局研究科学家，具有丰富的科研和企业工作经历。主要从事第四代氧化镓化合物半导体材料生长、功率器件与紫外探测器件设计、制备、器件热管理及可靠性等方面的研究。在Nature Communications、Science Advances、Advanced Functional Materials、Nano Letters、IEEE Electron Device Letters、Applied Materials & Interfaces、Applied Physics Letters等国际权威SCI杂志上共发表论文50余篇，申请中国专利25项。
